产品介绍
CSEP2200电化学剖面分析仪主要用于半导体材料掺杂浓度和深度的测量。其原理是基于Mott-Schottky方程，采用电化学湿法刻蚀（PEC Etching）定量溶解半导体样品，并通过电容-电压法准确测量半导体材料某一面层或结构的空间点和电容，并计算掺杂浓度剖面分布曲线。在智能程序控制下，可实现连续刻蚀和电容电压测量，以得到不同深度下载流子浓度的剖面分布。
电化学剖面分析仪
CSEP2200电化学剖面分析仪
主要用于半导体材料掺杂浓度和深度的测量。其原理是基于Mott-Schottky方程，采用电化学湿法刻蚀（PEC Etching）定量溶解半导体样品，采用电化学电容-电压法准确测量半导体材料（结构/面层）的空间电荷电容，并计算掺杂浓度剖面分布曲线。
系统特点
多频阻抗拟合：基于多频阻抗和统一的等效电路拟合，空间电容计算更准确
触点自动烧蚀：有效降低电极与材料之间的接触电阻，减少刻蚀深度误差
模块结构设计：关键部件模块化设计提高信噪比和设备维护的便利
精准压力控制：保证电解池良好密封性同时，确保晶圆润湿面积的一致性
高清动态影像：实时记录测试过程中电解池溶液流动和晶圆表面清洁状态
可调UV光源：多颗大功率UV聚焦光源，辅助半导体材料的光电化学刻蚀
智能测控软件：基于Windows界面，操作简单，可一键完成载流子浓度剖分
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技术指标
主要技术指标
| 载流子浓度测量范围 | 1013~1021 a/cm-3 |
| 腐蚀深度 | 0.01μm-10μm |
| 晶圆尺寸 | 2~6寸 |
| 电化学阻抗频率扫描范围 | 0.001Hz~100kHz |
| 极化电位范围 | ±10V |
| 最小电位分辨率 | 10 μV |
正弦波输出幅值 | 1mV~2.5V |
刻蚀电流范围 | ±250mA |
最小电流分辨率 | 0.1pA |
刻蚀电流量程 | 200pA，2nA，20nA，200nA，...200mA 共八档 |
| 尺寸（mm） | 549x390x480 |
| 重量（Kg） | 32.5 |
功能方法
测试数据
GaAs-N型晶圆 GaAs-P型晶圆
InP-N型晶圆 InP-N型晶圆
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